Infineon und Siemens: Siliziumkarbid-Technologie, um elektrischen Schutz in Rechenzentren und Fabriken voranzutreiben

Zusammenfassung

Infineon und Siemens kombinieren Siliziumkarbid-Technologie mit Energieverteilungsexpertise, um ultraschnelle Halbleiter-Schütze für KI-Rechenzentren und Fabriken zu entwickeln. Der neue Solid-State-Circuit-Breaker arbeitet im Mikrosekundenbereich, bis 1 000-mal schneller als herkömmliche Schalter, und erhöht damit die Zuverlässigkeit kritischer Infrastrukturen. Durch Integration von Infineons CoolSiC MOSFET-Modulen wird die Energieeffizienz gesteigert und die Dekarbonisierung von Industrie- und Infrastrukturnetzwerken unterstützt.