VON ARDENNE: Jenseits von Siliziumkarbid und Galliumnitrid – über Galliumoxid und die Vorteile der PVD-Beschichtung

Zusammenfassung

Von Ardenne entwickelt PVD-Beschichtungsanlagen für die Herstellung von Galliumoxid (Ga₂O₃)-Schichten, die als vielversprechender Wide-Bandgap-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungsbauelemente gelten. Ga₂O₃ bietet Vorteile gegenüber SiC und GaN, darunter höhere Spannungsfestigkeit und Effizienzpotenzial für Energieumwandlung und KI-Rechenzentren. Durch Fortschritte in der Dünnschichttechnologie ist die Abscheidung von Ga₂O₃ nun zuverlässiger und kosteneffizienter, was die praktische Anwendung in der Halbleiterindustrie ermöglicht.